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IRLZ34NSTRR の詳細情報

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型番IRLZ34NSTRR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V
Drain Current-Max (ID) 30 A
Drain-source On Resistance-Max 0.046 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 110 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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