IRF7901D1TR データシート Ir

IRF7901D1TR - IR の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IRF7901D1TR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IRF7901D1TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 6.2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.038 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MS-012AA
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

IRF7901D1TRのレビュー

IRF7901D1TR のご注文について