IRF7832ZTR データシート Ir

IRF7832ZTR - IR の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IRF7832ZTR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IRF7832ZTR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 21 A
Drain Current-Max (ID) 21 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0038 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MS-012AA
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

IRF7832ZTRのレビュー

IRF7832ZTR のご注文について