IRF7809ATR データシート Ir

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IRF7809ATR の詳細情報

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型番IRF7809ATR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 14.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0085 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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