IRF7413ATR データシート Ir

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IRF7413ATR の詳細情報

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型番IRF7413ATR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Avalanche Energy Rating (Eas) 260 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0135 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MS-012AA
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 58 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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