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IRF7325TR の詳細情報

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型番IRF7325TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (ID) 7.8 A
Drain-source On Resistance-Max 0.024 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MS-012AA
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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