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IRF7233TR の詳細情報

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型番IRF7233TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 14 V
Drain Current-Max (ID) 9.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.02 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 76 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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