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IRF7202TR の詳細情報

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型番IRF7202TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A
Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.25 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 2.5 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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