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IRF620L の詳細情報

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型番IRF620L
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.8 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 40 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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