IRF6156 - IR の商品詳細ページです。

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IRF6156 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IRF6156
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Configuration COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain-source On Resistance-Max 0.04 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PBGA-B6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form BALL
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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