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IRF5810TR の詳細情報

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型番IRF5810TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.9 A
Drain Current-Max (ID) 2.9 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.96 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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