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IRF5804TR の詳細情報

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型番IRF5804TR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A
Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.198 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-193AA
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10 A
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

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