IRF5800 データシート Ir

IRF5800 - IR の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IRF5800 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IRF5800
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 20.6 mJ
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4 A
Drain Current-Max (ID) 4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.085 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-193AA
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

IRF5800のレビュー

IRF5800 のご注文について