IRF1104STRR データシート Ir

IRF1104STRR - IR の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IRF1104STRR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IRF1104STRR
メーカーIR
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 350 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 100 A
Drain-source On Resistance-Max 0.009 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称International Rectifier
設立1947
所在地233 Kansas St., El Segundo, California 90245,USA
URLhttp://www.irf.com/

IRF1104STRRのレビュー

IRF1104STRR のご注文について