RF1S630
データシート
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- 個
RF1S630 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | RF1S630 |
|---|---|
| メーカー | INTERSIL |
| データシート |  |
| Additional Feature | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 150 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9 A |
| Drain Current-Max (ID) | 9 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.4 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-263AB |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 75 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 36 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | Intersil Americas LLC |
|---|---|
| 設立 | 1967 |
| 所在地 | 1001 Murphy Ranch Road Milpitas, CA 95035 USA |
| URL | http://www.intersil.com/ |
RF1S630のレビュー
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