SPD02N50C3XT データシート Infineon

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SPD02N50C3XT の詳細情報

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型番SPD02N50C3XT
メーカーINFINEON
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Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (ID) 1.8 A
Drain-source On Resistance-Max 3 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 5.4 A
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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