SIPC26N60S5 データシート Infineon

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SIPC26N60S5 の詳細情報

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型番SIPC26N60S5
メーカーINFINEON
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.23 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XUUC-N1
Number of Elements 1
Number of Terminals 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style UNCASED CHIP Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position UPPER
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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