IPW65R070C6 Infineon

IPW65R070C6 - INFINEON の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IPW65R070C6 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IPW65R070C6
メーカーINFINEON
Avalanche Energy Rating (Eas) 1160 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 650 V
Drain-source On Resistance-Max 0.07 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 150 A
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

IPW65R070C6のレビュー

IPW65R070C6 のご注文について