IPS110N12N3 G データシート Infineon

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IPS110N12N3 G の詳細情報

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  • メーカー情報
型番IPS110N12N3 G
メーカーINFINEON
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 120 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 120 V
Drain Current-Max (ID) 75 A
Drain-source On Resistance-Max 0.011 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-251
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 136 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 300 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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