IPL60R650P6SATMA1 Infineon

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IPL60R650P6SATMA1 の詳細情報

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型番IPL60R650P6SATMA1
メーカーINFINEON
Avalanche Energy Rating (Eas) 133 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain-source On Resistance-Max 0.65 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-N5
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16.5 A
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

IPL60R650P6SATMA1のレビュー

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