IPA70R360P7S Infineon

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IPA70R360P7S の詳細情報

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型番IPA70R360P7S
メーカーINFINEON
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 700 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12.5 A
Drain Current-Max (ID) 12.5 A
Drain-source On Resistance-Max 12.5 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-281
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 26.5 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 34 A
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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