IHW30N160R2 データシート Infineon

IHW30N160R2 - INFINEON の商品詳細ページです。

1
IHW30N160R2
  • IHW30N160R2
  • IHW30N160R2
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

IHW30N160R2 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IHW30N160R2
メーカーINFINEON
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 60 A
Collector-emitter Voltage-Max 1600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-emitter Thr Voltage-Max 6.4 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-247AC
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 312 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 675 ns
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

IHW30N160R2のレビュー

IHW30N160R2 のご注文について