F3L80R12W1H3B11 Infineon

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F3L80R12W1H3B11 の詳細情報

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型番F3L80R12W1H3B11
メーカーINFINEON
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 90 A
Collector-emitter Voltage-Max 1200 V
Gate-emitter Thr Voltage-Max 6.5 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-Channel
Power Dissipation-Max (Abs) 275 W
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 425 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 210 ns
VCEsat-Max 1.95 V
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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