ESD8V0L2B-03LE6327 Infineon

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ESD8V0L2B-03LE6327 の詳細情報

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型番ESD8V0L2B-03LE6327
メーカーINFINEON
Breakdown Voltage-Min 8.5 V
Breakdown Voltage-Nom 8.5 V
Clamping Voltage-Max 26 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-XBCC-N3
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity BIDIRECTIONAL
Reference Standard AEC-Q101
Rep Pk Reverse Voltage-Max 14 V
Sub Category Transient Suppressors
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Finish GOLD
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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