DDB2U50N08W1RB23 Infineon

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DDB2U50N08W1RB23 の詳細情報

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型番DDB2U50N08W1RB23
メーカーINFINEON
Case Connection ISOLATED
Configuration COMPLEX
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 60 A
Drain-source On Resistance-Max 0.2 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XUFM-X9
Number of Elements 1
Number of Terminals 9
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100 A
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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