BSS169 E6327 データシート Infineon

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BSS169 E6327 の詳細情報

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型番BSS169 E6327
メーカーINFINEON
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.17 A
Drain Current-Max (ID) 0.12 A
Drain-source On Resistance-Max 12 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.36 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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