BSP51E6327 Infineon

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BSP51E6327 の詳細情報

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型番BSP51E6327
メーカーINFINEON
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Reference Standard AEC-Q101
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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