BFR193L3E6327 Infineon

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BFR193L3E6327 の詳細情報

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型番BFR193L3E6327
メーカーINFINEON
Additional Feature LOW NOISE
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.08 A
Collector-base Capacitance-Max 0.9 pF
Collector-emitter Voltage-Max 12 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 70
Highest Frequency Band L BAND
JESD-30 Code R-XBCC-N3
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.58 W
Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES
Terminal Finish GOLD
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 8000 MHz
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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