BFG135AE6327 データシート Infineon

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BFG135AE6327 の詳細情報

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型番BFG135AE6327
メーカーINFINEON
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Collector-base Capacitance-Max 1.8 pF
Collector-emitter Voltage-Max 15 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 80
Highest Frequency Band L BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 6000 MHz
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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