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BF999E6327
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BF999E6327 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | BF999E6327 |
|---|---|
| メーカー | INFINEON |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.03 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Highest Frequency Band | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | DEPLETION MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | Infineon Technologies AG |
|---|---|
| 設立 | 1999 |
| 所在地 | Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany |
| URL | http://www.infineon.com/ |
BF999E6327のレビュー
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