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BB659C02VH7912XT
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BB659C02VH7912XT の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | BB659C02VH7912XT |
|---|---|
| メーカー | INFINEON |
| Breakdown Voltage-Min | 35 V |
| Configuration | SINGLE |
| Diode Cap Tolerance | 7.01 % |
| Diode Capacitance Ratio-Min | 9.5 |
| Diode Capacitance-Nom | 39 pF |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| Frequency Band | VERY HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Operating Temperature-Min | -55 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| 会社名称 | Infineon Technologies AG |
|---|---|
| 設立 | 1999 |
| 所在地 | Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany |
| URL | http://www.infineon.com/ |
BB659C02VH7912XTのレビュー
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