BAT24-02LSE6327 Infineon

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BAT24-02LSE6327 の詳細情報

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型番BAT24-02LSE6327
メーカーINFINEON
Breakdown Voltage-Min 4 V
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 0.23 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type MIXER DIODE
Forward Voltage-Max (VF) 0.32 V
Frequency Band K BAND
JESD-30 Code R-PBCC-N2
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Phases 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Output Current-Max 0.11 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Dissipation-Max 0.1 W
Rep Pk Reverse Voltage-Max 4 V
Reverse Current-Max 5 uA
Reverse Test Voltage 1 V
Sub Category Rectifier Diodes
Surface Mount YES
Technology SCHOTTKY
Terminal Finish GOLD
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Type of Schottky Barrier LOW BARRIER
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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