AUIRF8739L2TR Infineon

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AUIRF8739L2TR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番AUIRF8739L2TR
メーカーINFINEON
Avalanche Energy Rating (Eas) 312 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 375 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0006 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1830 pF
JESD-30 Code R-MBCC-N9
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 9
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 340 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1150 A
Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Infineon Technologies AG
設立1999
所在地Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg Germany
URLhttp://www.infineon.com/

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