HZK3B Hitachi

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HZK3B の詳細情報

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型番HZK3B
メーカーHITACHI
Additional Feature LOW DYNAMIC IMPEDANCE, LOW NOISE
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 100 ohm
JESD-30 Code O-LELF-R2
JESD-609 Code e0
Knee Impedance-Max 1200 ohm
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.25 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Standard TS 16949
Reference Voltage-Nom 2.9 V
Reverse Current-Max 0.1 uA
Reverse Test Voltage 0.5 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount YES
Technology ZENER
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form WRAP AROUND
Terminal Position END
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Voltage Tol-Max 3.23 %
Working Test Current 0.5 mA
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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