HAT2027R-EL Hitachi

HAT2027R-EL - HITACHI の商品詳細ページです。

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HAT2027R-EL
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HAT2027R-EL の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAT2027R-EL
メーカーHITACHI
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7 A
Drain Current-Max (ID) 7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.053 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 3 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 56 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

HAT2027R-ELのレビュー

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