4AM11 Hitachi

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4AM11 の詳細情報

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型番4AM11
メーカーHITACHI
Configuration 2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.24 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T10
Number of Elements 4
Number of Terminals 10
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 28 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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