3SK297ZP-TL Hitachi

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3SK297ZP-TL の詳細情報

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型番3SK297ZP-TL
メーカーHITACHI
Additional Feature LOW NOISE
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.025 A
Drain Current-Max (ID) 0.025 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.04 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Power Gain-Min (Gp) 12 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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