3SK137V - HITACHI の商品詳細ページです。

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3SK137V の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番3SK137V
メーカーHITACHI
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 15 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.035 A
Drain Current-Max (ID) 0.035 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Power Gain-Min (Gp) 20 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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