2SK619
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Nチャネル電界効果型トランジスタ
2SK619 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SK619 |
|---|---|
| メーカー | HITACHI |
| 種別 | Nチャネル トランジスタ |
| Configuration | SINGLE |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.3 A |
| Drain Current-Max (ID) | 0.3 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 10 W |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | NO |
| 会社名称 | 株式会社 日立製作所 |
|---|---|
| 設立 | 1920年2月1日 |
| 資本金 | 458,790百万円 |
| 所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 |
| URL | http://www.hitachi.com/ |
2SK619のレビュー
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