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2SK360IGETR
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Nチャネル電界効果型トランジスタ
2SK360IGETR の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SK360IGETR |
|---|---|
| メーカー | HITACHI |
| 種別 | Nチャネル トランジスタ |
| Configuration | SINGLE |
| Drain Current-Max (ID) | 0.03 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Highest Frequency Band | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN BISMUTH |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社 日立製作所 |
|---|---|
| 設立 | 1920年2月1日 |
| 資本金 | 458,790百万円 |
| 所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 |
| URL | http://www.hitachi.com/ |
2SK360IGETRのレビュー
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