2SK360 Hitachi

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK360 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SK360
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Additional Feature LOW NOISE
Avalanche Energy Rating (Eas) 125.5 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
Drain-source On Resistance-Max 0.062 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 52 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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