2SK2912S Hitachi

2SK2912S - HITACHI の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK2912S の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK2912S
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40 A
Drain Current-Max (ID) 40 A
Drain-source On Resistance-Max 0.04 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 50 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

2SK2912Sのレビュー

2SK2912S のご注文について