2SK2685 Hitachi

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK2685 の詳細情報

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型番2SK2685
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Additional Feature LOW NOISE
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 6 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.02 A
Drain Current-Max (ID) 0.02 A
FET Technology HIGH ELECTRON MOBILITY
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.1 W
Power Gain-Min (Gp) 16 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET RF Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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