2SK213 Hitachi

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK213 の詳細情報

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型番2SK213
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Additional Feature AVALANCHE ENERGY RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 5.3 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 150 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.5 A
Drain Current-Max (ID) 0.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.18 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN COPPER
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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