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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK186 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK186
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3 A
Drain Current-Max (ID) 0.0006 A
Drain-source On Resistance-Max 0.2 ohm
FET Technology JUNCTION
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-W3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 10 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN COPPER
Terminal Form FLAT
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 121 ns
Turn-on Time-Max (ton) 57 ns
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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