2SK1215IGETL Hitachi

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1215IGETL の詳細情報

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型番2SK1215IGETL
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Gain-Min (Gp) 24 dB
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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