2SK1165 Hitachi

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1165 の詳細情報

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型番2SK1165
メーカーHITACHI
種別Nチャネル トランジスタ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 450 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.55 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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