2SJ55 Hitachi

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Pチャネル電界効果型トランジスタ

2SJ55 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SJ55
メーカーHITACHI
種別Pチャネル トランジスタ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1 A
Drain Current-Max (ID) 0.1 A
Drain-source On Resistance-Max 0.036 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 300 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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