2SJ410 Hitachi

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Pチャネル電界効果型トランジスタ

2SJ410 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SJ410
メーカーHITACHI
種別Pチャネル トランジスタ
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6 A
Drain Current-Max (ID) 6 A
Drain-source On Resistance-Max 0.85 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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