









Pチャネル電界効果型トランジスタ
| 型番 | 2SJ127 | 
|---|---|
| メーカー | HITACHI | 
| 種別 | Pチャネル トランジスタ | 
| Configuration | SINGLE | 
| DS Breakdown Voltage-Min | 120 V | 
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 10 A | 
| Drain Current-Max (ID) | 10 A | 
| Drain-source On Resistance-Max | 0.25 ohm | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| 会社名称 | 株式会社 日立製作所 | 
|---|---|
| 設立 | 1920年2月1日 | 
| 資本金 | 458,790百万円 | 
| 所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 | 
| URL | http://www.hitachi.com/ | 
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